Цоколевка транзистора IRF6720S2
(Код: )

Характеристики MOSFET транзистора IRF6720S2



  • Корпус - DIRECTFET S1
  • Напряжение пробоя сток-исток 30 В
  • Максимальное напряжение затвора 20 В
  • Сопротивление в открытом состоянии 8.0 мОм
  • Ток стока 35 А
  • Заряд затвора 7.9 нКл
  • Термосопротивление 8.6 К/Вт
  • Рассеиваемая мощность 17 Вт
Отзыв
Оставить отзыв
Имя
E-mail
Текст комментария
Оценка для товара